国内外消费级内置固态硬盘市场总结与分析

Ø 2024年中国消费级内置固态硬盘市场销售收入达到了48.92亿元

消费级固态硬盘是一种主要面向个人消费者市场的存储设备，内置固态硬盘是指安装在计算机内部的固态硬盘，与之相对的是外置固态硬盘（即移动固态硬盘），消费级内置固态硬盘通常用于个人电脑、笔记本电脑以及其他消费类电子设备中。 与传统的机械硬盘（HDD）相比，固态硬盘（SSD）使用闪存（NAND Flash）来存储数据，不依赖于机械部件，因此具有更高的性能、耐用性和效率。

图 1：中国市场消费级内置固态硬市场规模,2019 VS 2024 VS 2030(百万元)

图片来源:第三方资料、新闻报道、业内专家采访及H Research整理研究，2024年

根据恒州诚思的调研数据显示，2024年中国消费级内置固态硬盘市场销售收入达到了48.92亿元，预计2030年可以达到到109.12亿元，2024-2030期间年复合增长率(CAGR)为14.31%。随着生产工艺的提升和技术的不断成熟，SSD的生产成本逐渐下降，尤其是随着3D NAND技术和生产规模的扩展，价格有望进一步降低。这将推动更多消费者选择SSD替代传统的机械硬盘（HDD）。

中国市场核心厂商包括致态（ZhiTai）、三星（SAMSUNG）、梵想（FANXIANG）、西部数据（WD）、金士顿（Kingston）和宏碁掠夺者（PREDATOR）等，按收入计，2023年中国市场前三大厂商占有大约37%的市场份额。随着技术的不断突破，尤其是存储芯片、主控芯片等关键技术的国产化进程加快，预计中国品牌的消费级SSD在国内外市场的份额将持续增长。近年来，像长江存储、紫光集团等国内企业在闪存芯片领域取得了显著进展，推动了国内SSD产品的质量提升和自主研发能力的加强。随着产业链的完善，国内厂商能够更加有效地控制成本、提高产品的竞争力。

从产品类型方面来看，NVMe固态硬盘占有重要地位，预计2030年份额将达到96%。随着PCIe 4.0和PCIe 5.0接口的逐步普及，消费级SSD的读写速度将大幅提升，特别是对于需要高性能存储的游戏玩家和创意工作者。PCIe 5.0的出现预计将推动下一波存储产品的性能提升，带来更快的数据传输速度，进一步推动高端SSD的市场增长。

同时就渠道来看，线上渠道在2023年份额大约是69%，未来几年（2025-2030）年度复合增长率CAGR大约为15%。

随着消费市场需求的多样化，固态硬盘将根据不同应用场景进行细分。例如，针对游戏玩家的高性能SSD将具有更快的读写速度、较大的缓存；针对创意工作者的SSD可能在数据存储和处理能力上有更高的要求；而针对日常办公或家庭用户的SSD则可能更多关注性价比和容量。  

Ø SSD在AI中的未来：2025年NAND存储趋势

回顾2024年，存储技术的升级已经为AI计算和云应用带来了许多便利。从年初推出首个量产的汽车级UFS 4.0，推动行业发展，到与惠普合作将RM， PM和XG系列固态硬盘发送到国际空间站，以及推出容量高达2Tb的第8代BiCS FLASH QLC，展示下一代光结构固态硬盘，铠侠及其合作伙伴不仅满足了当前的存储应用需求，而且为未来存储的新技术可行性奠定了基础。

【01】

更大的存储容量

AI计算对企业级存储提出了更严格的要求。Tera级大型模型可以轻松地填满30TB的企业SSD，这使得更大的存储解决方案势在必行。今年年初，铠侠正式发布第八代BiCS FLASH，并根据市场需求，提供TLC和QLC产品线。

其中，QLC可以更好地增加单位空间内的存储容量。第8代BiCS FLASH 2Tb QLC的比特密度大约是第5代BiCS FLASH™QLC产品的2.3倍。写入效率提高了约70%。此外，新的QLC产品架构可以在单个存储封装中堆叠16个芯片，以更紧凑的封装设计提供业界领先的4TB容量，尺寸仅为11.5×13.5mm，高度为1.5mm。

这意味着未来使用第8代BICS FLASH QLC的存储产品将在存储空间上有一个质的飞跃，轻松实现企业级SSD和数据中心级SSD扩展到120TB或更多。Pure Storage  已经开始测试第8代BiCS FLASH™2Tb QLC闪存产品，并相信在统一的全闪存数据存储平台中使用BiCS FLASH技术，不仅可以满足AI的严格要求，还可以实现极具竞争力的备份存储成本。

此外，第8代BiCS FLASH全面优化了其逻辑电路，将存储密度提高了50%以上，同时将NAND I/O速度提高了60%以上，使传输率高达3200MT/s。这大大改善了读取延迟，为数据中心和PC提供了更高的存储容量，并为电池、个性化和瘦身设计提供了更多空间。

【02】

加速部署PCIe 5.0和EDSFF

随着PCIe 6.0到PCIe 7.0规格的成熟，PCIe 5.0企业存储进入加速采用阶段。去年10月，铠侠正式推出了全新XD8系列PCIe5.0 EDSFF（企业和数据中心标准外形系数）E1.S固态硬盘。这是铠侠的第三代E1.S SSD，兼容PCIe 5.0 （32gt / S x 4）和NVMe 2.0规格，支持OCP Data Center NVMeSSD v2.5规格。

PCIe 5.0的传输效率是PCIe 4.0的2倍。它的高带宽和低延迟特性允许SSD在高负载场景下提供更多的并发访问。更高的IOPS还能让服务器在AI、数据库、虚拟化和多媒体编辑等领域发挥关键作用。

此外，当与PCIe 5.0结合使用时，EDSFF规范将效率提升到一个新的水平。EDSFF具有更好的散热效率，允许更高的存储密度，灵活的接口形式，并支持Compute Express Link（CXL），提供更灵活、更快配置的存储解决方案。

新推出的铠侠XD8系列已经准备好支持下一代存储。它专为云和超大规模环境而设计，满足数据中心日益增长的高性能、高效率和可扩展性需求。借助这种新型固态硬盘，云服务提供商和超大规模企业可以优化基础设施，同时保持运营效率并提供卓越的性能。

【03】

构建未来存储

在信息和通信的后5G时代，AI已经开始产生前所未有的数据量。铠侠正在积极探索更多前瞻性存储的可能性，例如基于相变存储原理与CXL相结合的XL-FLASH存储级存储器（SCM），开发比DRAM功耗更低、比特密度更高、读取速度更快的存储器。这不仅可以提高内存利用率，还有助于节省能源。

在汽车级存储领域，铠侠已获得汽车软件过程改进和能力确定（Automotive SPICE）2级（CL2）认证。铠侠是第一家获得汽车级UFS 4.0产品认证的公司，这意味着其汽车级UFS 4.0已经进入了结构化的项目管理和软件开发流程，以确保产品质量的一致性和可追溯性。它不仅满足了汽车制造商和一级供应商对汽车级UFS 4.0设备严格的软件开发和质量标准，也标志着铠侠汽车级UFS 4.0将在未来的高性能汽车多媒体系统中发挥重要作用。

此外，该公司还宣布开发出利用具有高导通电流和超低漏电流的氧化物半导体晶体管制成的新型4F²DRAM——OCTRAM（氧化半导体通道晶体管DRAM）。该技术使用InGaZnO（铟镓氧化锌）晶体管将泄漏率降低到非常低的水平，从而降低DRAM功耗。无论是SSD独立缓存还是内存产品，该技术都为高性能、低功耗产品提供了潜力。

显然，2025年将继续是充满技术挑战和创新的一年。铠侠及其合作伙伴已经准备好面对新的挑战，新的存储技术和解决方案将在AI加速、云计算、虚拟化应用和数据中心部署等商业场景中大放异彩。同时，笔记本电脑、智能手机、XR设备由于存储芯片性能的提升和尺寸的缩小，将有更多的可能性，为用户提供更好的存储体验。

本文转自《恒州诚思 YHResearch出版的市场调研报告》及 https://www.diskmfr.com/the-future-of-ssds-in-ai-2025-nand-storage-trends/ ，著作权归原作者/平台所有。转载内容不代表本平台立场，仅供读者参考，本平台不承担任何法律责任。